China ontwikkelt geavanceerde EUV-technologie voor chipproductie
Beijing (zondag, 9 maart ‘25)
China test een nieuwe EUV-lithografietool bij Huawei in Dongguan. Deze ontwikkeling kan ASML’s monopolie op geavanceerde lithografietechnologie uitdagen.
Doorbraak in Chinese Lithografietechnologie
Het nieuwe Chinese EUV-systeem maakt gebruik van een innovatieve laser-geïnduceerde plasma (LDP) technologie, die fundamenteel verschilt van ASML’s bestaande methoden [1]. Deze technologie genereert 13,5 nm EUV-straling door tin tussen elektroden te verdampen en om te zetten in plasma via hoogspanning ontlading [1]. Dit zou kunnen leiden tot een efficiëntere en kosteneffectievere productie van geavanceerde chips.
Tijdlijn en Implementatie
De planning voor deze technologie is concreet: proefproductie staat gepland voor het derde kwartaal van 2025, gevolgd door massaproductie in 2026 [1][2]. Dit vormt een directe uitdaging voor ASML’s huidige monopoliepositie, waarbij hun nieuwste High-NA EUV-machines ongeveer 380 miljoen dollar kosten [1].
Technische Uitdagingen
Hoewel de Chinese technologie veelbelovend is, zijn er nog cruciale vragen over de resolutiecapaciteiten en throughput-stabiliteit [1]. Recent onderzoek aan de Chinese Academie van Wetenschappen heeft een conversie-efficiëntie van 3,42% bereikt [3], maar de integratie met bestaande halfgeleiderproductieprocessen blijft een uitdaging. Toonaangevende fabrikanten zoals SMIC werken samen met Huawei om deze nieuwe technologie te implementeren in bestaande productielijnen [1].
Marktimplicaties
Deze ontwikkeling zou een keerpunt kunnen betekenen voor de Chinese halfgeleiderindustrie, die tot nu toe beperkt werd door Amerikaanse exportrestricties op EUV-technologie [1]. Voor ASML (beursgenoteerd aan Euronext Amsterdam: ASML) [GPT] betekent dit mogelijk het einde van hun technologische alleenheerschappij, hoewel de praktische implementatie en commerciële levensvatbaarheid nog moeten worden bewezen [alert! ‘lange-termijn impact op marktaandeel nog onzeker’].