SK Hynix doorbreekt grens met 321-laags NAND-geheugen

SK Hynix doorbreekt grens met 321-laags NAND-geheugen

2024-11-21 companies

Seoel, vrijdag, 22 november 2024.
SK Hynix bereikt een technologische mijlpaal met de start van massaproductie van ‘s werelds eerste 321-laags NAND-flashgeheugen. Deze doorbraak levert 12% snellere datatransfer en 13% betere leesprestaties, cruciaal voor AI-toepassingen. Levering start in 2025.

Technologische Vooruitgang

Door de ontwikkeling van het 321-laags NAND-geheugen heeft SK Hynix een belangrijke stap gezet in de competitieve wereld van halfgeleiders. Het bedrijf, genoteerd op de Korea Exchange onder het symbool 000660, heeft de technologische doorbraak bereikt door gebruik te maken van de zogenaamde ‘Three Plugs’ proces technologie. Deze methode maakt het mogelijk om meer dan 300 lagen NAND te stapelen, wat resulteert in verbeterde snelheid en energie-efficiëntie[1].

Impact op de Markt

De introductie van 321-laags NAND positioneert SK Hynix als een leidende speler in de opslagindustrie. Deze technologische sprong biedt een verbetering van 12% in datasnelheid en 13% in leesprestaties ten opzichte van de vorige generatie NAND-geheugen[2]. Dit maakt het nieuwe product bijzonder geschikt voor AI-opslagtoepassingen die afhankelijk zijn van hoge prestaties en laag energieverbruik. De verwachting is dat deze vooruitgang de marktdominantie van SK Hynix zal versterken, met name in de opkomende markt voor AI-gedreven datacenters.

Toekomstige Leveringen en Verwachtingen

SK Hynix verwacht de 321-laags NAND-producten in de eerste helft van 2025 aan klanten te leveren. De massaproductie ondersteunt de ambitie van het bedrijf om een volledige AI-geheugenprovider te worden, met een portfolio dat zowel NAND als DRAM omvat[3]. Deze strategische zet kan significante invloed hebben op de aandelenkoers van het bedrijf, aangezien beleggers anticiperen op een verhoogde vraag naar geavanceerde geheugentechnologieën.

Concurrentiedruk en Innovatie

Hoewel SK Hynix momenteel voorop loopt met 321 lagen, blijven concurrenten zoals Samsung en Micron niet ver achter. Samsung werkt al aan 300-laags en zelfs 400-laags NAND-oplossingen om hun positie te versterken[4]. Deze voortdurende innovatiegolf binnen de industrie duidt op een intensieve concurrentiestrijd die zowel technologische als economische implicaties heeft.

Bronnen


Hynix NAND